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厂商型号

Q62702P3581 

产品描述

Phototransistor Chip Silicon 880nm 3-Pin TO-18

内部编号

286-Q62702P3581

#1

数量:74
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新加坡
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Q62702P3581产品详细规格

包装 3TO-18
类型 Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大集电极电流 50 mA
峰值波长 880 nm
透镜形状类型 Domed
镜头规格 4.8 mm
观看方向 Top View
半强度角度 30 °
最大上升时间 12000/15000 ns
极性 NPN
标准包装 Bulk
最大光电流 6000/9500
安装 Through Hole
最大集电极发射极饱和电压 0.22/0.24
引脚数 3
PCB 3
最大功率耗散 220
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的通道数 1
最大下降时间 12000/15000
最大暗电流 300
峰值波长 880
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TO-18
标准包装名称 TO-206-AA
最高工作温度 125
半强度角度 30
最大集电极发射极电压 50
包装高度 6.2(Max)
Package Diameter 5.6(Max)
最大集电极电流 50
最大上升时间 12000/15000
铅形状 Through Hole
集电极电流( DC)(最大值) 0.05 A
集电极 - 发射极电压 50 V
半强度角 30 deg
功率耗散 0.22 W
工作温度范围 -40C to 125C
包装类型 TO-18
上升时间 12000/15000 ns
暗电流(最大值) 100 nA
光电流 6000/9500 uA
元件数 1
工作温度分类 Automotive
集电极 - 发射极电压星期六(最大值) 0.22/0.24 V
下降时间 12000/15000 ns
弧度硬化 No
暗电流 100 nA
集电极电流(DC ) 0.05 A

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